В рамках цикла публичных лекций “Наука и культура в ХХI веке”в Санкт-Петербургском Академическом университете — научно-образовательном центре нанотехнологий РАН сопредседатель консультативного научного совета фонда «Сколково» лауреат нобелевской премии академик Жорес Алферов выступил с лекцией «2015 год — «Год Света». Эффективное преобразование и генерация света», в которой рассмотрел проблемы и способы генерации электрической энергии из альтернативных источников, а также историю развития полупроводниковых преобразователей солнечной энергии на основе гетероструктур на материалах А3B5 и кремнии.
С использованием разработанной Ж.И. Алфёровым в 70-х годах технологии высокоэффективных, радиационностойких солнечных элементов на основе AlGaAs/GaAs гетероструктур впервые в мире было организовано крупномасштабное производство гетероструктурных солнечных элементов для космических батарей. Одна из них, установленная в 1986 году на космической станции «Мир», проработала на орбите весь срок эксплуатации без существенного снижения мощности.
