Конференции за 2018 год

  1. D. Andronikov, A. Abramov, S. Abolmasov, K. Emtsev, G. Ivanov, I. Nyapshaev, D. Orekhov, A. Semenov, G. Shelopin, E. Terukova, E. Terukov, N. Belkova, A. Dubrovskiy, P. Ishmuratov, A. Ivanov, D. Saykin, I. Shakhray, A. Smirnov, E. Sokolov, V. Tarasov. A transition to thinner Si wafers at HJT mass production: ahead of ITPRV schedule, 35th European Photovoltaic Solar Energy Conference and Exhibition (2018).
  2. A. Abramov, D. Andronikov, K. Emtsev, D. Orekhov, I. Shakhray, E. Terukov, E. Terukova, S. Yakovlev Super lightweight flexible HJT solar panels, 35th European Photovoltaic Solar Energy Conference and Exhibition (2018)
  3.  Температурная зависимость электрического сопротивления оксида графена. А.А. Бабаев, М.Е.Зобов, Д.Ю. Корнилов, С.В. Ткачев, Е.И. Теруков, В.С. Левицкий. Сборник трудов XI Международной конференции «Аморфные и микрокристаллические полупроводники» (19 — 21 ноября 2018 г, Санкт-Петербург), ISBN 978-5-7422-6352-4. с. 40.
  4. Исследование планарных волноведущих структур на основе нитрида кремния. А.В.Дроздовский, Г.А. Зарецкая, А.В. Кондрашов, М.И. Мартынов, А.А.Никитин, К.О. Воропаев, А.С. Ионов, А.В. Петров, А.С. Абрамов, С.Н. Аболмасов, Е.И. Теруков, Б.А. Калиникос. Сборник трудов XI Международной конференции «Аморфные и микрокристаллические полупроводники» (19 — 21 ноября 2018 г, Санкт-Петербург), ISBN 978-5-7422-6352-4. с. 183.
  5. Применение гетероструктурной технологии для изготовления фотоэлектрических преобразователей на квази-монокристаллических кремниевых подложках. В.Н. Вербицкий, И.А. Няпшаев, Е.И. Теруков, А.С. Абрамов, А.В. Семенов, Г.Г. Шелопин, К.В. Емцев. Сборник трудов XI Международной конференции «Аморфные и микрокристаллические полупроводники» (19 — 21 ноября 2018 г, Санкт-Петербург), ISBN 978-5-7422-6352-4. с. 193.
  6. Пролетные Si(Li) детекторы с n+-контактом из аморфного кремния. И.М.Котина, О.И.Коньков, Е.Ф. Чмель, В.М. Базлов, Л.М.Тухконен, С. Н.Аболмасов, Е.И.Теруков. Сборник трудов XI Международной конференции «Аморфные и микрокристаллические полупроводники» (19 — 21 ноября 2018 г, Санкт-Петербург), ISBN 978-5-7422-6352-4. с. 195.
  7. Применение люминесцентных методов для исследования гетероструктурных солнечных элементов на основе кремния. Абрамов А.С., Емцев К.В., Титов А.C., Теруков Е.И. Сборник трудов XI Международной конференции «Аморфные и микрокристаллические полупроводники» (19 — 21 ноября 2018 г, Санкт-Петербург), ISBN 978-5-7422-6352-4. с. 205.
  8. Особенности применения ТМБ и B2H6 при формировании гетероперехода ФЭП на основе Si в конфигурации тыльный эмиттер. А.В. Семенов, Д.А. Андроников, А.С. Абрамов, Е.И. Теруков. Сборник трудов XI Международной конференции «Аморфные и микрокристаллические полупроводники» (19 — 21 ноября 2018 г, Санкт-Петербург), ISBN 978-5-7422-6352-4. с. 216.
  9. Применение ИК-спектроскопии для контроля пассивирующего слоя гетероструктурных ФЭП на основе кремния. С.Н. Аболмасов, А.А. Абрамов, А.В. Семенов, Е.И. Теруков, Е.В. Мальчукова, И.Н. Трапезникова. 220.
  10. Текстурирование квазимонокристаллических кремниевых пластин для фотоэлектрических преобразователей. В.Н. Вербицкий, И.А. Няпшаев, Е.И. Теруков, А.С. Абрамов, Г.Г. Шелопин, К.В. Емцев. Сборник трудов XI Международной конференции «Аморфные и микрокристаллические полупроводники» (19 — 21 ноября 2018 г, Санкт-Петербург), ISBN 978-5-7422-6352-4. с. 222.
  11. Исследование свойств нестехиометрического нитрида кремния, обогащенного кремнием, в зависимости от параметров процесса плазмохимического осаждения. A.Кукин, С.Аболмасов, А.Абрамов, Е.Мальчукова, Е.Теруков. Сборник трудов XI Международной конференции «Аморфные и микрокристаллические полупроводники» (19 — 21 ноября 2018 г, Санкт-Петербург), ISBN 978-5-7422-6352-4. с. 236.
  12. Влияние стехиометрического состава пленок оксида индия-олова на параметры гетероструктурных ФЭП на основе кремния. И.А. Няпшаев, П.А. Ишмуратов, Д.А. Андроников, В.С.  Левицкий, Е.Е.  Терукова, С.Н. Аболмасов, К.В. Емцев, А.С. Абрамов, Е.И.  Теруков. Сборник трудов XI Международной конференции «Аморфные и микрокристаллические полупроводники» (19 — 21 ноября 2018 г, Санкт-Петербург), ISBN 978-5-7422-6352-4. с. 258.

Comments are closed.