D. Andronikov, A. Abramov, E. Terukov, E. Terukova, M. Shvarts, A. Vinogradov, A. Ankudinov, M. Semerukhin, V. Davydov, A. Smirnov, A. Sazanov. “High-Efficiency Plasma Treatment For Surface Modification Of Lpcvd Zno”. EPJ PV, 2013 (в печати).
Ю.В. Крюченко, А.В. Саченко, А.В. Бобыль, В.П. Костылев, И.О. Соколовский, Е.И. Теруков. “Моделирование изменения характеристик солнечных элементов на основе a-Si:H в течение светового дня”. Журнал технической физики, 2013
Ю.В. Крюченко, А.В. Саченко, А.В. Бобыль, В.П. Костылев, И.О. Соколовский, Е.И. Теруков, В.Н. Вербицкий, Ю.А. Николаев. “Годовые зависимости мощности и энергии, генерируемых единицей площади солнечного элемента на основе a-Si:H (расчет)”. Журнал технической физики, 2013
J.S. Vainshtein, O.S. Yeltzina, E.I. Terukov, O.M. Sreseli “Photocurrent and photovoltage spectroscopy of amorphous silicon nanoclusters“.// Physica E, 2013 (in press).
В.М. Емельянов, А.С. Абрамов, А.В. Бобыль, А.С. Гудовских, Д.Л. Орехов, Е.И. Теруков, Н.Х. Тимошина, О.И. Честа, М.З. Шварц. Исследование световой деградации тандемных α-Si:H/µc-Si:H солнечных фотопреобразователей, Физика и техника полупроводников, 2013, т.47, вып.5
Исследование свойств солнечных элементов на основе a-Si: H-p-i-n-структур с помощью спектроскопии полной проводимости. А.С.Гудовских, А.С.Абрамов, А.В.Бобыль, В.Н.Вербицкий, К.С.Зеленцов, Е.М.Ершенко, Д.А.Кудряшов, C.А.Кудряшов, А.О.Монастыренко, А.Р.Терра, Е.И.Теруков. ФТП, 2013, том 47, выпуск 8.
Анализ механизмов световой деградации в солнечных фотопреобразователях alpha-Si:H/mu-Si:H. В.М.Емельянов, А.С.Абрамов, А.В.Бобыль, В.Н.Вербицкий, А.С.Гудовских, Е.М.Ершенко, С.А.Кудряшов, Е.И.Теруков, О.И.Честа, М.З.Шварц. ФТП, 2013, том 47, выпуск 9.
Влияние условий получения пленок полиморфного кремния на их структурные, электрические и оптические свойства. М.В.Хенкин, А.В.Емельянов, А.Г.Казанский, П.А.Форш, П.К.Кашкаров, Е.И.Теруков, Д.Л.Орехов, P.Roca i Cabarrocas. ФТП, 2013, том 47, выпуск 9.
Методика исследования световой деградации тандемных фотопреобразователей alpha-Si: H/mu c-Si: H при повышенной освещенности. О.И.Честа, Г.М.Аблаев, А.А.Блатов, А.В.Бобыль, В.М.Емельянов, Д.Л.Орехов, Е.И.Теруков, Н.Х.Тимошина, М.З.Шварц. ФТП, 2013, том 47, выпуск 10.
T. Desrues, I. Martin, S. De Vecchi, S. Abolmasov, D. Diouf, A. Lukyanov, P. Ortega, M. Colina, M. Versavel, M. Tusseau, F. Souche, T. Nychyporuk, M.E. Gueunier-Farret, D. Munoz, M. Lemiti, J.P. Kleider, P. Roca i Cabarrocas, R. Alcubilla, Y. Schlumberger and P.J. Ribeyron, Silicon Heterojunction for Advanced Rear Contact Cells: Main Results of the SHARCC Project, Proc. 28th European Photovoltaic Solar Energy Conference (Paris, France, 30 September- 4 October, 2013), pp. 1135-1138. ссылка:
A.A. Bizyukov, E.V. Romashchenko, K.N. Sereda and S.N. Abolmasov, Particle charging in beam-plasma systems, Problems of Atomic Science and Technology, Issue 1, pp. 183-185, 2013.
P. Roca i Cabarrocas, S. Abolmasov, R. Cariou, S. Misra, Zh. Fan, L. Yu and E. Johnson, Silane plasmas: a wonderful toolbox for silicon thin films and nano-structured materials, Proc. 25th Int. Conference on Amorphous and Nanocrystalline Semiconductors (Toronto, Canada, 18-23 August, 2013), Tu-B2. ссылка:
S.N. Abolmasov, H. Woo, R. Planques, J. Holovsky, E.V. Johnson, M. Vanecek and P. Roca i Cabarrocas, Substrate and p-layer effects on polymorphous silicon solar cells, Extended abstracts, Photovoltaic Technical Conference (Aix-en-Provence, France, 22-24 May, 2013), D1-2-04. ссылка:
М.В.Хенкин, А.В.Емельянов, А.Г.Казанский, П.А.Форш, П.К.Кашкаров, Е.И.Теруков, Д.Л.Орехов, P.Roca I Cabarrocas Влияние условий получения пленок полиморфного кремния на их структурные, электрические и оптические свойства, Физика и техника полупроводников, 2013, том 47 вып.9.,– c.1283-1287
Методика исследования световой деградации тандемных фотопреобразователей
-Si :H/μc-Si :H при повышенной освещенности О.И. Честа, Г.М. Аблаев , А.А. Блатов , А.В. Бобыль , В.М. Емельянов ,Д.Л. Орехов , Е.И. Теруков , Н.Х. Тимошина , М.З. Шварц — Физика и техника полупроводников, 2013, том 47, вып. 10 стр.1385 – 1390.
Characterization of p–i–n a-Si:H solar cells by admittance spectroscopy and bias dependent photoresponse measurements A.S. Gudovskikh1,4, A.S. Abramov2,3, A.V. Bobyl, K.S. Zelentsov, D.A. Kudryashov , I.A.Morozov , E. I. Terukov , D.L. Orehov, V. N. Verbitskiy – EU PVSEC 2013 ссылка: